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SLM2106B

600V, 450mA/950mA 高（gāo）低边驱动

样片申请

SLM2106B Datasheet

产品概述

产品特性

安规认证

典型（xíng）应（yīng）用图

产品概述

SLM2106B是（shì）一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，它提供独立的高边、低边输出驱（qū）动信号。采用专有的高压集成电（diàn）路和锁存免疫CMOS技（jì）术，提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容（róng），最低支持（chí）3.3V逻辑（jí）。输（shū）出驱动器具有高脉冲电流缓冲（chōng）级（jí），以减小驱动器交叉导（dǎo）通。浮动（dòng）通道可用于（yú）驱动高边（biān）配置的N型沟道（dào）功率MOSFET或IGBT，工作电（diàn）压可高达600V。

产品特性（xìng）

为自举（jǔ）供电设（shè）计的（de）浮动（dòng）通（tōng）道

全电压范围运行达600V

允许瞬态负电压，不受dV/dt影响（xiǎng）

驱动电源（yuán）范围从10V到20V

欠压闭锁

3.3V，5V和15V逻辑（jí）兼容

两通道间（jiān）匹配传输延时

典型开（kāi）通/关断延时（shí）：160ns/220ns

典型驱动电（diàn）流：450mA/950mA

输入输出（chū）同（tóng）相

SOP8封装